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HXY MOSFET 1N914W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N914W |
| Référence EBEE | E841419582 |
| Boîtier | SOD-123 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V Independent Type 1.25V SOD-123 Switching Diodes ROHS |
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| 50+ | $0.0096 | $ 0.4800 |
| 500+ | $0.0075 | $ 3.7500 |
| 3000+ | $0.0061 | $ 18.3000 |
| 6000+ | $0.0055 | $ 33.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N914W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@75V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@150mA | |
| Current - Rectified | 150mA | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
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