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HXY MOSFET 1N5819WT
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N5819WT |
| Référence EBEE | E85451630 |
| Boîtier | SOD-523 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-523 Schottky Diodes ROHS |
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|---|---|---|
| 50+ | $0.0106 | $ 0.5300 |
| 500+ | $0.0086 | $ 4.3000 |
| 3000+ | $0.0068 | $ 20.4000 |
| 6000+ | $0.0061 | $ 36.6000 |
| 24000+ | $0.0056 | $ 134.4000 |
| 51000+ | $0.0053 | $ 270.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N5819WT | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@30V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 350mA |
Guide d’achat
Développer
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| 6000+ | $0.0061 | $ 36.6000 |
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