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HXY MOSFET 1N5819WS
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N5819WS |
| Référence EBEE | E85451629 |
| Boîtier | SOD-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-323 Schottky Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0091 | $ 0.4550 |
| 500+ | $0.0074 | $ 3.7000 |
| 3000+ | $0.0058 | $ 17.4000 |
| 6000+ | $0.0053 | $ 31.8000 |
| 24000+ | $0.0048 | $ 115.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N5819WS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@30V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 350mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+125℃ |
Guide d’achat
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| 3000+ | $0.0058 | $ 17.4000 |
| 6000+ | $0.0053 | $ 31.8000 |
| 24000+ | $0.0048 | $ 115.2000 |
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