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HXY MOSFET 1N5819W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N5819W |
| Référence EBEE | E85451628 |
| Boîtier | SOD-123 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-123 Schottky Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock: 602823
Minimum : 100Multiples : 100
Prix unitaire
$ 0.0071
Prix total
$ 0.7100
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0071 | $ 0.7100 |
| 1000+ | $0.0058 | $ 5.8000 |
| 3000+ | $0.0048 | $ 14.4000 |
| 9000+ | $0.0044 | $ 39.6000 |
| 51000+ | $0.0039 | $ 198.9000 |
| 99000+ | $0.0037 | $ 366.3000 |
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$
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N5819W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@30V | |
| Reverse Voltage (Vr) | 40V | |
| Diode Configuration | Independent Type | |
| Forward Voltage (Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Rectified Current | 350mA |
Guide d’achat
Développer
En stock: 602823
Minimum : 100Multiples : 100
Prix unitaire
$ 0.0071
Prix total
$ 0.7100
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0071 | $ 0.7100 |
| 1000+ | $0.0058 | $ 5.8000 |
| 3000+ | $0.0048 | $ 14.4000 |
| 9000+ | $0.0044 | $ 39.6000 |
| 51000+ | $0.0039 | $ 198.9000 |
| 99000+ | $0.0037 | $ 366.3000 |
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