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HXY MOSFET 1N5819W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N5819W |
| Référence EBEE | E85451628 |
| Boîtier | SOD-123 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 40V Independent Type 350mA 600mV@200mA SOD-123 Schottky Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Schottky Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N5819W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@30V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 600mV@200mA | |
| Current - Rectified | 350mA |
Guide d’achat
Développer
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