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HXY MOSFET 1N4148W
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N4148W |
| Référence EBEE | E85345962 |
| Boîtier | SOD-123 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V Independent Type 1.25V@150mA 4ns 150mA SOD-123 Switching Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 100+ | $0.0084 | $ 0.8400 |
| 1000+ | $0.0069 | $ 6.9000 |
| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0049 | $ 44.1000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
| 99000+ | $0.0042 | $ 415.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Switching Diodes | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N4148W | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 1uA@75V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@150mA | |
| Current - Rectified | 150mA | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 2A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 3000+ | $0.0053 | $ 15.9000 |
| 9000+ | $0.0049 | $ 44.1000 |
| 51000+ | $0.0044 | $ 224.4000 |
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