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HXY MOSFET 1N4007
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N4007 |
| Référence EBEE | E841419593 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1A Independent Type 1kV 1V SMA Diodes - General Purpose ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 50+ | $0.0085 | $ 0.4250 |
| 500+ | $0.0067 | $ 3.3500 |
| 1500+ | $0.0057 | $ 8.5500 |
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| 25000+ | $0.0045 | $ 112.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes - General Purpose | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET 1N4007 | |
| RoHS | ||
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@1000V | |
| Diode Configuration | Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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