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HUAYI HYG011N04LS1C2
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HYG011N04LS1C2 |
| Référence EBEE | E82911692 |
| Boîtier | DFN5x6-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 165A 1.1mΩ@10V,40A 75W 1V@250uA 1 N-channel DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7017 | $ 0.7017 |
| 10+ | $0.5607 | $ 5.6070 |
| 30+ | $0.4918 | $ 14.7540 |
| 100+ | $0.4230 | $ 42.3000 |
| 500+ | $0.3869 | $ 193.4500 |
| 1000+ | $0.3656 | $ 365.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | HUAYI HYG011N04LS1C2 | |
| RoHS |  | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.9mΩ@4.5V | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 58pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 165A | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.278nF | |
| Gate Charge(Qg) | 89nC@10V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 5.876nF |
Guide d’achat
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