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hongjiacheng MMBT5551
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBT5551 |
| Référence EBEE | E87420357 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 160V 300mW 100@10mA,5.0V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock: 621050
Minimum : 50Multiples : 50
Prix unitaire
$ 0.0110
Prix total
$ 0.5500
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0110 | $ 0.5500 |
| 500+ | $0.0092 | $ 4.6000 |
| 3000+ | $0.0075 | $ 22.5000 |
| 6000+ | $0.0069 | $ 41.4000 |
| 24000+ | $0.0063 | $ 151.2000 |
| 51000+ | $0.0061 | $ 311.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | hongjiacheng MMBT5551 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Transistor Type | NPN | |
| Collector Current (Ic) | 600mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,5.0V | |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 150mV@10mA,1.0mA |
Guide d’achat
Développer
En stock: 621050
Minimum : 50Multiples : 50
Prix unitaire
$ 0.0110
Prix total
$ 0.5500
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0110 | $ 0.5500 |
| 500+ | $0.0092 | $ 4.6000 |
| 3000+ | $0.0075 | $ 22.5000 |
| 6000+ | $0.0069 | $ 41.4000 |
| 24000+ | $0.0063 | $ 151.2000 |
| 51000+ | $0.0061 | $ 311.1000 |
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