| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N5551 C |
| Référence EBEE | E8237266 |
| Boîtier | TO-92-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 160V 625mW 150@10mA,5V 600mA NPN TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0114 | $ 0.5700 |
| 500+ | $0.0112 | $ 5.6000 |
| 2000+ | $0.0110 | $ 22.0000 |
| 5000+ | $0.0108 | $ 54.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) 2N5551 C | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 600mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 160V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 150@10mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 80MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@50mA,5mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0114 | $ 0.5700 |
| 500+ | $0.0112 | $ 5.6000 |
| 2000+ | $0.0110 | $ 22.0000 |
| 5000+ | $0.0108 | $ 54.0000 |
