| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBTA42 |
| Référence EBEE | E8466651 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 300V 350mW 100@10mA,10V 300mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0262 | $ 0.5240 |
| 200+ | $0.0210 | $ 4.2000 |
| 600+ | $0.0181 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0163 | $ 48.9000 |
| 9000+ | $0.0147 | $ 132.3000 |
| 21000+ | $0.0139 | $ 291.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | High Diode MMBTA42 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type de transistor | NPN | |
| Courant du collecteur (Ic) | 300mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 250nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 300V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@10mA,10V | |
| Fréquence de transition (fT) | 50MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 200mV@20mA,2mA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0262 | $ 0.5240 |
| 200+ | $0.0210 | $ 4.2000 |
| 600+ | $0.0181 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0163 | $ 48.9000 |
| 9000+ | $0.0147 | $ 132.3000 |
| 21000+ | $0.0139 | $ 291.9000 |
