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High Diode MMBT5551
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBT5551 |
| Référence EBEE | E8466641 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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1350 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0216 | $ 1.0800 |
| 500+ | $0.0175 | $ 8.7500 |
| 3000+ | $0.0139 | $ 41.7000 |
| 6000+ | $0.0125 | $ 75.0000 |
| 24000+ | $0.0114 | $ 273.6000 |
| 51000+ | $0.0108 | $ 550.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | High Diode MMBT5551 | |
| RoHS | ||
| Type de transistor | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | - | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | - | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | - |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0216 | $ 1.0800 |
| 500+ | $0.0175 | $ 8.7500 |
| 3000+ | $0.0139 | $ 41.7000 |
| 6000+ | $0.0125 | $ 75.0000 |
| 24000+ | $0.0114 | $ 273.6000 |
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