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HARRIS D64VS4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | D64VS4 |
| Référence EBEE | E83201122 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 350V 195W 10@10A,2V 15A NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.7813 | $ 19.7813 |
| 200+ | $7.6549 | $ 1530.9800 |
| 500+ | $7.3869 | $ 3693.4500 |
| 1000+ | $7.2539 | $ 7253.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| Fiche Technique | HARRIS D64VS4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 195W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 350V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 10@10A,2V | |
| Fréquence de transition (fT) | 50MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@15A,2.5A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.7813 | $ 19.7813 |
| 200+ | $7.6549 | $ 1530.9800 |
| 500+ | $7.3869 | $ 3693.4500 |
| 1000+ | $7.2539 | $ 7253.9000 |
