| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N1613 |
| Référence EBEE | E83201282 |
| Boîtier | TO-39(TO-205AD) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $61.8314 | $ 61.8314 |
| 200+ | $23.9281 | $ 4785.6200 |
| 500+ | $23.0888 | $ 11544.4000 |
| 1000+ | $22.6718 | $ 22671.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,Bipolar (BJT) | |
| Fiche Technique | HARRIS 2N1613 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| Collector Current (Ic) | 500mA | |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW | |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V | |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@150mA,10V | |
| Transition Frequency (fT) | - | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@150mA,15mA | |
| Transistor type | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $61.8314 | $ 61.8314 |
| 200+ | $23.9281 | $ 4785.6200 |
| 500+ | $23.0888 | $ 11544.4000 |
| 1000+ | $22.6718 | $ 22671.8000 |
