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Hangzhou Silan Microelectronics SJT13009NT
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SJT13009NT |
| Référence EBEE | E82897701 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 400V 100W 15@3A,5V 12A NPN TO-220 Bipolar (BJT) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3321 | $ 0.3321 |
| 10+ | $0.2651 | $ 2.6510 |
| 30+ | $0.2363 | $ 7.0890 |
| 100+ | $0.2004 | $ 20.0400 |
| 500+ | $0.1845 | $ 92.2500 |
| 1000+ | $0.1749 | $ 174.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SJT13009NT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 100W | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100uA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 400V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 15@3A,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 4MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 1V@5A,1.6A | |
| Type de transistor | NPN |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3321 | $ 0.3321 |
| 10+ | $0.2651 | $ 2.6510 |
| 30+ | $0.2363 | $ 7.0890 |
| 100+ | $0.2004 | $ 20.0400 |
| 500+ | $0.1845 | $ 92.2500 |
| 1000+ | $0.1749 | $ 174.9000 |
