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Hangzhou Silan Microelectronics SFR12S20T
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SFR12S20T |
| Référence EBEE | E82897639 |
| Boîtier | TO-220-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1V@6A 35ns 1 pair of common cathodes 6A 200V TO-220-3L Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1894 | $ 0.1894 |
| 10+ | $0.1521 | $ 1.5210 |
| 50+ | $0.1362 | $ 6.8100 |
| 100+ | $0.1163 | $ 11.6300 |
| 500+ | $0.1074 | $ 53.7000 |
| 1000+ | $0.0967 | $ 96.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SFR12S20T | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tension inverse (Vr) | 200V | |
| Configuration à diode | 1 pair of common cathodes | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 1V@6A | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns | |
| Courant de fuite inverse | 5uA@200V | |
| Courant rectifié | 6A |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1894 | $ 0.1894 |
| 10+ | $0.1521 | $ 1.5210 |
| 50+ | $0.1362 | $ 6.8100 |
| 100+ | $0.1163 | $ 11.6300 |
| 500+ | $0.1074 | $ 53.7000 |
| 1000+ | $0.0967 | $ 96.7000 |
