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Hangzhou Silan Microelectronics SBD10C100F
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SBD10C100F |
| Référence EBEE | E82897630 |
| Boîtier | TO-220F-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 1 pair of common cathodes 850mV@5A 10A TO-220F-3L Schottky Diodes ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Diodes Schottky | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SBD10C100F | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 50uA@100V | |
| Configuration à diode | 1 Pair Common Cathode | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 100V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@5A | |
| Current - Rectified | 10A |
Guide d’achat
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