| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MBR2X080A100 |
| Référence EBEE | E86987258 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 2 independent 80A 840mV@80A SOT-227 Schottky Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $129.3221 | $ 129.3221 |
| 208+ | $51.6007 | $ 10732.9456 |
| 520+ | $49.8776 | $ 25936.3520 |
| 988+ | $49.0252 | $ 48436.8976 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Diodes ,Diode Arrays | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor MBR2X080A100 | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 1mA@100V | |
| Tension inverse (Vr) | 100V | |
| Configuration à diode | 2 independent | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 840mV@80A | |
| Courant rectifié | 80A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $129.3221 | $ 129.3221 |
| 208+ | $51.6007 | $ 10732.9456 |
| 520+ | $49.8776 | $ 25936.3520 |
| 988+ | $49.0252 | $ 48436.8976 |
