| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MBR20030CTR |
| Référence EBEE | E86903172 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 1 pair common anode 650mV@100A 200A Schottky Diodes ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $239.7244 | $ 239.7244 |
| 200+ | $95.6518 | $ 19130.3600 |
| 480+ | $92.4556 | $ 44378.6880 |
| 1000+ | $90.8767 | $ 90876.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Diodes ,Diode Arrays | |
| Fiche Technique | GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5mA@20V | |
| Tension inverse (Vr) | 30V | |
| Configuration à diode | 1 pair common anode | |
| Tension vers l'avant (Vf-si) | 650mV@100A | |
| Courant rectifié | 200A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $239.7244 | $ 239.7244 |
| 200+ | $95.6518 | $ 19130.3600 |
| 480+ | $92.4556 | $ 44378.6880 |
| 1000+ | $90.8767 | $ 90876.7000 |
