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FUXINSEMI STTH112A
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STTH112A-FS |
| Référence EBEE | E85563725 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.9V@1A 75ns Independent Type 1A 1.2kV SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0472 | $ 0.4720 |
| 100+ | $0.0382 | $ 3.8200 |
| 300+ | $0.0338 | $ 10.1400 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0243 | $ 121.5000 |
| 10000+ | $0.0230 | $ 230.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI STTH112A-FS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@1200V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 75ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 1.2kV | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.9V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
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| 300+ | $0.0338 | $ 10.1400 |
| 1000+ | $0.0304 | $ 30.4000 |
| 5000+ | $0.0243 | $ 121.5000 |
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