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FUXINSEMI MURS160T3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURS160T3G-FS |
| Référence EBEE | E85563724 |
| Boîtier | SMB(DO-214AA) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.25V@1A 50ns Independent Type 1A 600V SMB(DO-214AA) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0828 | $ 0.4140 |
| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
| 150+ | $0.0606 | $ 9.0900 |
| 500+ | $0.0550 | $ 27.5000 |
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| 6000+ | $0.0387 | $ 232.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI MURS160T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@4V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
| 150+ | $0.0606 | $ 9.0900 |
| 500+ | $0.0550 | $ 27.5000 |
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