| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURA160T3G-FS |
| Référence EBEE | E87503110 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.25V@1A 50ns Independent Type 1A 600V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0625 | $ 0.6250 |
| 100+ | $0.0497 | $ 4.9700 |
| 300+ | $0.0434 | $ 13.0200 |
| 1000+ | $0.0386 | $ 38.6000 |
| 5000+ | $0.0302 | $ 151.0000 |
| 10000+ | $0.0283 | $ 283.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI MURA160T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@4V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 35A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0625 | $ 0.6250 |
| 100+ | $0.0497 | $ 4.9700 |
| 300+ | $0.0434 | $ 13.0200 |
| 1000+ | $0.0386 | $ 38.6000 |
| 5000+ | $0.0302 | $ 151.0000 |
| 10000+ | $0.0283 | $ 283.0000 |
