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FUXINSEMI MURA120T3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MURA120T3G-FS |
| Référence EBEE | E87503111 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 875mV@1A 25ns Independent Type 1A 200V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0622 | $ 0.3110 |
| 50+ | $0.0552 | $ 2.7600 |
| 150+ | $0.0517 | $ 7.7550 |
| 500+ | $0.0491 | $ 24.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | FUXINSEMI MURA120T3G-FS | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 2uA@200V | |
| Configuration à diode | Independent | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 25ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 875mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 40A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 150+ | $0.0517 | $ 7.7550 |
| 500+ | $0.0491 | $ 24.5500 |
| 2500+ | $0.0409 | $ 102.2500 |
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