| Fabricant | |
| Référence Fabricant | S8050LT1-J3Y |
| Référence EBEE | E82962087 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 25V 625mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0184 | $ 0.9200 |
| 500+ | $0.0145 | $ 7.2500 |
| 3000+ | $0.0123 | $ 36.9000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0099 | $ 237.6000 |
| 51000+ | $0.0092 | $ 469.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) S8050LT1-J3Y | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@100mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | NPN |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0184 | $ 0.9200 |
| 500+ | $0.0145 | $ 7.2500 |
| 3000+ | $0.0123 | $ 36.9000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0099 | $ 237.6000 |
| 51000+ | $0.0092 | $ 469.2000 |
