| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FHTL8050Y-ME |
| Référence EBEE | E8336158 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 25V 300mW 85@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0312 | $ 0.0312 |
| 10+ | $0.0251 | $ 0.2510 |
| 30+ | $0.0216 | $ 0.6480 |
| 150+ | $0.0175 | $ 2.6250 |
| 450+ | $0.0158 | $ 7.1100 |
| 1050+ | $0.0147 | $ 15.4350 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) FHTL8050Y-ME | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 85@100mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 120MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 0.6V@800mA,80mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0312 | $ 0.0312 |
| 10+ | $0.0251 | $ 0.2510 |
| 30+ | $0.0216 | $ 0.6480 |
| 150+ | $0.0175 | $ 2.6250 |
| 450+ | $0.0158 | $ 7.1100 |
| 1050+ | $0.0147 | $ 15.4350 |
