| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FHTA8550Y-ME |
| Référence EBEE | E8336150 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 25V 300mW 40@500mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0196 | $ 0.9800 |
| 500+ | $0.0156 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0109 | $ 65.4000 |
| 24000+ | $0.0099 | $ 237.6000 |
| 51000+ | $0.0093 | $ 474.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | FH (Guangdong Fenghua Advanced Tech) FHTA8550Y-ME | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Courant du collecteur (Ic) | 500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 40@500mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 120MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 600mV@500mA,50mA | |
| Type de transistor | PNP |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0196 | $ 0.9800 |
| 500+ | $0.0156 | $ 7.8000 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0109 | $ 65.4000 |
| 24000+ | $0.0099 | $ 237.6000 |
| 51000+ | $0.0093 | $ 474.3000 |
