| Fabricant | |
| Référence Fabricant | EMB09P03V |
| Référence EBEE | E8461958 |
| Boîtier | PowerTDFN-8(3.1x3.1) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 24A 9.5mΩ@10V,13A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel PowerTDFN-8(3.1x3.1) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | EMC EMB09P03V | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 24A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,13A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 398pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.067nF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 52nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2729 | $ 0.2729 |
| 10+ | $0.2192 | $ 2.1920 |
| 30+ | $0.1962 | $ 5.8860 |
| 100+ | $0.1674 | $ 16.7400 |
| 500+ | $0.1547 | $ 77.3500 |
| 1000+ | $0.1471 | $ 147.1000 |
