| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BC859C |
| Référence EBEE | E83200239 |
| Boîtier | SOT-23-3(TO-236-3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 250mW 420@2mA,5V 100mA PNP SOT-23-3(TO-236-3) Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0344 | $ 0.6880 |
| 200+ | $0.0279 | $ 5.5800 |
| 600+ | $0.0244 | $ 14.6400 |
| 3000+ | $0.0214 | $ 64.2000 |
| 9000+ | $0.0196 | $ 176.4000 |
| 21000+ | $0.0185 | $ 388.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | (DIOTEC) BC859C | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 100mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 15nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 30V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 420@2mA,5V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 650mV@100mA,5mA | |
| Type de transistor | PNP |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0344 | $ 0.6880 |
| 200+ | $0.0279 | $ 5.5800 |
| 600+ | $0.0244 | $ 14.6400 |
| 3000+ | $0.0214 | $ 64.2000 |
| 9000+ | $0.0196 | $ 176.4000 |
| 21000+ | $0.0185 | $ 388.5000 |
