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Diodes Incorporated 1N4935G-T
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N4935G-T |
| Référence EBEE | E85245049 |
| Boîtier | DO-41 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.2V@1A 200ns 1A 200V DO-41 Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 50+ | $0.0762 | $ 3.8100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | Diodes Incorporated 1N4935G-T | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@200V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 200ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.2V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0762 | $ 3.8100 |
| 150+ | $0.0681 | $ 10.2150 |
| 500+ | $0.0620 | $ 31.0000 |
| 2500+ | $0.0570 | $ 142.5000 |
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