| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CT817D-H(HZD) |
| Référence EBEE | E8191935 |
| Boîtier | DIP-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 35V 5kV 50mA 100mV@1mA,20mA 1 6V 1.24V DC DIP-4 Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0877 | $ 0.4385 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0628 | $ 9.4200 |
| 500+ | $0.0566 | $ 28.3000 |
| 2500+ | $0.0515 | $ 128.7500 |
| 5000+ | $0.0491 | $ 245.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Optoisolators ,Transistor, opérosolateurs de sortie photovoltaique | |
| Fiche Technique | CT Micro International CT817D-H(HZD) | |
| RoHS | ||
| Type de produit | Phototransistor | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+110℃ | |
| Résultats actuels | 50mA | |
| Nombre de produits | 1 | |
| Tension avant | 1.24V | |
| Tension inverse | 6V | |
| Tension de la charge | 35V | |
| Tension d'isolement (rms) | 5kV | |
| Temps de chute | 8us@2mA,100Ω | |
| Temps d'assè | 6us@2mA,100Ω | |
| Tension de saturation des collecteurs-émetteurs (Vce(sat)-Ic,IF) | 100mV@1mA,20mA | |
| Type de tension d'entrée | DC |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0877 | $ 0.4385 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0628 | $ 9.4200 |
| 500+ | $0.0566 | $ 28.3000 |
| 2500+ | $0.0515 | $ 128.7500 |
| 5000+ | $0.0491 | $ 245.5000 |
