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CT Micro International CT817B-H


Fabricant
Référence Fabricant
CT817B-H
Référence EBEE
E8127187
Boîtier
DIP-4
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
35V 5kV 50mA 100mV@1mA,20mA 1 6V 1.24V DC DIP-4 Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
10+$0.0225$ 0.2250
100+$0.0219$ 2.1900
300+$0.0209$ 6.2700
1000+$0.0206$ 20.6000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieOptoisolators ,Transistor, opérosolateurs de sortie photovoltaique
Fiche TechniqueCT Micro International CT817B-H
RoHS
Type de produitPhototransistor
Température de fonctionnement-55℃~+110℃
Résultats actuels50mA
Nombre de canaux1
Type d'entréeDC
Temps d'assè6us@2mA,100Ω
Temps de chute8us
Tension inverse6V
Tension de la charge35V
Tension d'isolement (Vrms)5kV
Voltage - Forward(Vf)1.24V
Vce Saturation(VCE(sat))100mV@1mA,20mA
Current transfer ratio130%;260%
Forward Current(If)60mA

Guide d’achat

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