| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SS8050-G |
| Référence EBEE | E83199946 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25V 300mW 100@10mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1640 | $ 0.8200 |
| 50+ | $0.1327 | $ 6.6350 |
| 150+ | $0.1193 | $ 17.8950 |
| 500+ | $0.1026 | $ 51.3000 |
| 3000+ | $0.0951 | $ 285.3000 |
| 6000+ | $0.0906 | $ 543.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | Comchip SS8050-G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 100nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 100@10mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | 100MHz | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 400mV@50mA,5mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1640 | $ 0.8200 |
| 50+ | $0.1327 | $ 6.6350 |
| 150+ | $0.1193 | $ 17.8950 |
| 500+ | $0.1026 | $ 51.3000 |
| 3000+ | $0.0951 | $ 285.3000 |
| 6000+ | $0.0906 | $ 543.6000 |
