| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 4N35-000E |
| Référence EBEE | E817309956 |
| Boîtier | DIP-6 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100mA 3.55kV 1 1.2V DIP-6 Transistor, Photovoltaic Output Optoisolators ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8288 | $ 0.8288 |
| 195+ | $0.3322 | $ 64.7790 |
| 520+ | $0.3213 | $ 167.0760 |
| 975+ | $0.3158 | $ 307.9050 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Optoisolators ,Transistor, opérosolateurs de sortie photovoltaique | |
| Fiche Technique | Broadcom Limited 4N35-000E | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+100℃ | |
| Résultats actuels | 100mA | |
| Nombre de produits | 1 | |
| Tension avant | 1.2V | |
| Tension d'isolement (rms) | 3.55kV | |
| Temps de chute | 3us | |
| Temps d'assè | 3us |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8288 | $ 0.8288 |
| 195+ | $0.3322 | $ 64.7790 |
| 520+ | $0.3213 | $ 167.0760 |
| 975+ | $0.3158 | $ 307.9050 |
