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BORN US2G


Fabricant
Référence Fabricant
US2G
Référence EBEE
E829781464
Boîtier
SMA
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
20+$0.0202$ 0.4040
200+$0.0158$ 3.1600
600+$0.0133$ 7.9800
2000+$0.0118$ 23.6000
10000+$0.0105$ 105.0000
20000+$0.0098$ 196.0000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement
Fiche TechniqueBORN US2G
RoHS
Courant de fuite inverse (Ir)5uA
Configuration à diode1 Independent
Temps de récupération inverse (trr)100ns
Tension - marche arrière (Vr) (Max)400V
Voltage - Forward(Vf@If)1.7V@1A
Current - Rectified2A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current50A
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃

Guide d’achat

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