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BORN US1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | US1G |
| Référence EBEE | E829781458 |
| Boîtier | SMA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SMA Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0137 | $ 0.6850 |
| 500+ | $0.0107 | $ 5.3500 |
| 1500+ | $0.0090 | $ 13.5000 |
| 5000+ | $0.0080 | $ 40.0000 |
| 25000+ | $0.0071 | $ 177.5000 |
| 50000+ | $0.0067 | $ 335.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | BORN US1G | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 10uA@400V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 75ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 400V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.4V@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 1500+ | $0.0090 | $ 13.5000 |
| 5000+ | $0.0080 | $ 40.0000 |
| 25000+ | $0.0071 | $ 177.5000 |
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