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BORN ES1D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ES1D |
| Référence EBEE | E8266560 |
| Boîtier | SMA(DO-214AC) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 950mV@1A 35ns 1A 200V SMA(DO-214AC) Fast Recovery / High Efficiency Diodes ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0168 | $ 0.8400 |
| 500+ | $0.0131 | $ 6.5500 |
| 1500+ | $0.0111 | $ 16.6500 |
| 5000+ | $0.0102 | $ 51.0000 |
| 25000+ | $0.0091 | $ 227.5000 |
| 50000+ | $0.0086 | $ 430.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Diodes ,Récupération rapide/Diodes à haut rendement | |
| Fiche Technique | BORN ES1D | |
| RoHS | ||
| Courant de fuite inverse (Ir) | 5uA@200V | |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns | |
| Tension - marche arrière (Vr) (Max) | 200V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 950mV@1A | |
| Current - Rectified | 1A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
Guide d’achat
Développer
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| 1500+ | $0.0111 | $ 16.6500 |
| 5000+ | $0.0102 | $ 51.0000 |
| 25000+ | $0.0091 | $ 227.5000 |
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