| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SS8050 |
| Référence EBEE | E8541705 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 25V 225mW 200@100mA,1V 1.5A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0179 | $ 0.8950 |
| 500+ | $0.0144 | $ 7.2000 |
| 3000+ | $0.0112 | $ 33.6000 |
| 6000+ | $0.0100 | $ 60.0000 |
| 24000+ | $0.0090 | $ 216.0000 |
| 51000+ | $0.0084 | $ 428.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Bipolaire (BJT) | |
| Fiche Technique | AnBon SS8050 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 225mW | |
| Courant de découpage de collectionneur (Icbo) | 150nA | |
| Tension de rupture collector-émetteur (Vceo) | 25V | |
| Gain de courant continu (hFE-Ic,Vce) | 200@100mA,1V | |
| Fréquence de transition (fT) | - | |
| Tension de saturation des émetteurs de collection (VCE(sat)-Ic,Ib) | 500mV@800mA,80mA | |
| Type de transistor | NPN |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0179 | $ 0.8950 |
| 500+ | $0.0144 | $ 7.2000 |
| 3000+ | $0.0112 | $ 33.6000 |
| 6000+ | $0.0100 | $ 60.0000 |
| 24000+ | $0.0090 | $ 216.0000 |
| 51000+ | $0.0084 | $ 428.4000 |
