| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | YJD60N02A |
| Código de Pieza EBEE | E8699270 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 60A 14mΩ@1.8V,10A 35W 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1872 | $ 0.9360 |
| 50+ | $0.1525 | $ 7.6250 |
| 150+ | $0.1377 | $ 20.6550 |
| 500+ | $0.1190 | $ 59.5000 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
| 5000+ | $0.0877 | $ 438.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD60N02A | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo | 1 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 14mΩ@1.8V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 35W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 205pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.45nF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1872 | $ 0.9360 |
| 50+ | $0.1525 | $ 7.6250 |
| 150+ | $0.1377 | $ 20.6550 |
| 500+ | $0.1190 | $ 59.5000 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
| 5000+ | $0.0877 | $ 438.5000 |
