| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | D4N65 |
| Código de Pieza EBEE | E817179518 |
| Paquete | TO-252B |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Configuración | - | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 650V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| Disipación de energía (Pd) | 75W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 3.5pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 610pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
