| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NCE30P12S |
| Código de Pieza EBEE | E8167515 |
| Paquete | SOIC-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 180pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.75nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 24nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
