| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NCE0103M |
| Código de Pieza EBEE | E8161844 |
| Paquete | SOT-89-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 3A 170mΩ@4.5V,3A 1.5W 1V@250uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.5W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 20pF | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 650pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20nC@50V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
