Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
CS7N65FA9R
Código de Pieza EBEE
E8140750
Paquete
TO-220F
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
-
Descripción
650V 7A 35W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>
1 En Stock para Envío Rápido
1 disponible para envío inmediato
Puede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$0.3868$ 0.3868
10+$0.3002$ 3.0020
50+$0.2646$ 13.2300
100+$0.2182$ 21.8200
500+$0.1981$ 99.0500
1000+$0.1857$ 185.7000
2000+$0.1826$ 365.2000
4000+$0.1811$ 724.4000
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaTransestantes/Thyristors ,MOSFETs
Hoja de DatosWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R
RoHS
TipoN-Channel
RDS (on)1.4Ω@10V
Temperatura de funcionamiento --55℃~+150℃
Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds)5.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)93pF
Gate Charge(Qg)24nC@10V

Guía de compra

Expandir