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WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WSB5558N-2/TR |
| Código de Pieza EBEE | E8240198 |
| Paquete | DFN1006-2L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 30V Independent Type 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Diodes ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Diodes ,Schottky Diodes | |
| Hoja de Datos | WILLSEMI(Will Semicon) WSB5558N-2/TR | |
| RoHS | ||
| Corriente de fuga inversa (Ir) | 30uA@30V | |
| Diode Configuración | Independent | |
| Tensión - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 450mV@100mA | |
| Current - Rectified | 100mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 1A |
Guía de compra
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