| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WNM6012-3/TR |
| Código de Pieza EBEE | E82941870 |
| Paquete | DFN1006-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
| 10000+ | $0.0335 | $ 335.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 24Ω@2.5V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.008W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.4pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.4nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
| 10000+ | $0.0335 | $ 335.0000 |
