| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WMO50N06TS |
| Código de Pieza EBEE | E83030917 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 60V 50A 20mΩ@4.5V,5A 69.4W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2884 | $ 1.4420 |
| 50+ | $0.2336 | $ 11.6800 |
| 150+ | $0.2101 | $ 31.5150 |
| 500+ | $0.1808 | $ 90.4000 |
| 2500+ | $0.1600 | $ 400.0000 |
| 5000+ | $0.1520 | $ 760.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wayon WMO50N06TS | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 50A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 69.4W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 98pF@30V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2690pF@30V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 46nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2884 | $ 1.4420 |
| 50+ | $0.2336 | $ 11.6800 |
| 150+ | $0.2101 | $ 31.5150 |
| 500+ | $0.1808 | $ 90.4000 |
| 2500+ | $0.1600 | $ 400.0000 |
| 5000+ | $0.1520 | $ 760.0000 |
