| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WMO25N10T1 |
| Código de Pieza EBEE | E87498782 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 25A 53.2W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1868 | $ 0.9340 |
| 50+ | $0.1503 | $ 7.5150 |
| 150+ | $0.1347 | $ 20.2050 |
| 500+ | $0.1151 | $ 57.5500 |
| 2500+ | $0.1065 | $ 266.2500 |
| 5000+ | $0.1012 | $ 506.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wayon WMO25N10T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 1 N-channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 25A | |
| Disipación de energía (Pd) | 53.2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 50pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2332pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 37.9nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1868 | $ 0.9340 |
| 50+ | $0.1503 | $ 7.5150 |
| 150+ | $0.1347 | $ 20.2050 |
| 500+ | $0.1151 | $ 57.5500 |
| 2500+ | $0.1065 | $ 266.2500 |
| 5000+ | $0.1012 | $ 506.0000 |
