| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WMO15N10T1 |
| Código de Pieza EBEE | E83030962 |
| Paquete | TO-252-2 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 100V 14.6A 90mΩ@10V,14.6A 41.7W 1.2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wayon WMO15N10T1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 14.6A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 90mΩ@10V,14.6A | |
| Disipación de energía (Pd) | 41.7W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 42pF@15V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.22nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 20.6nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1249 | $ 0.6245 |
| 50+ | $0.1030 | $ 5.1500 |
| 150+ | $0.0921 | $ 13.8150 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0746 | $ 186.5000 |
| 5000+ | $0.0713 | $ 356.5000 |
