| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | WM02DN48M3 |
| Código de Pieza EBEE | E83030933 |
| Paquete | SOT-23-6L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | 20V 4.8A 1W 40mΩ@2.5V,4A 1.2V@250uA SOT-23-6L MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
| 9000+ | $0.0420 | $ 378.0000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | Wayon WM02DN48M3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 4.8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 40mΩ@2.5V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 65pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 515pF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 60nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0773 | $ 0.7730 |
| 100+ | $0.0630 | $ 6.3000 |
| 300+ | $0.0559 | $ 16.7700 |
| 3000+ | $0.0484 | $ 145.2000 |
| 6000+ | $0.0440 | $ 264.0000 |
| 9000+ | $0.0420 | $ 378.0000 |
