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Vishay Intertech SI8481DB-T1-E1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | SI8481DB-T1-E1 |
| Código de Pieza EBEE | E8727389 |
| Paquete | MicroFoot-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 20V 9.7A 21mΩ@4.5V,3A 1.1W 900mV@250uA 1 Piece P-Channel MicroFoot-4 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1815 | $ 0.1815 |
| 200+ | $0.0703 | $ 14.0600 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Hoja de Datos | VISHAY SI8481DB-T1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 20V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 9.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 21mΩ@4.5V,3A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.1W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 900mV@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 81pF@10V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 2.5nF@10V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
