| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AP40N100K |
| Código de Pieza EBEE | E85298149 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| Descripción | 100V 40A 50W 33mΩ@4.5V,10A 1.2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1812 | $ 0.9060 |
| 50+ | $0.1462 | $ 7.3100 |
| 150+ | $0.1311 | $ 19.6650 |
| 500+ | $0.1124 | $ 56.2000 |
| 2500+ | $0.1040 | $ 260.0000 |
| 5000+ | $0.0989 | $ 494.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | UNI-SEMIC AP40N100K | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 40A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 33mΩ@4.5V,10A | |
| Disipación de energía (Pd) | 50W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1.2V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 23.5pF@50V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 822pF@50V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 22.7nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1812 | $ 0.9060 |
| 50+ | $0.1462 | $ 7.3100 |
| 150+ | $0.1311 | $ 19.6650 |
| 500+ | $0.1124 | $ 56.2000 |
| 2500+ | $0.1040 | $ 260.0000 |
| 5000+ | $0.0989 | $ 494.5000 |
