| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | 30N06 |
| Código de Pieza EBEE | E8369599 |
| Paquete | TO-252 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 30A 23mΩ@10V 55W 1V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0593 | $ 296.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Transestantes/Thyristors ,MOSFETs | |
| Hoja de Datos | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 23mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+150℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 66.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.562nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
| 5000+ | $0.0593 | $ 296.5000 |
